SSS6N55 时间：2025/8/25 7:18:11 阅读：3

SSS6N55 是一款由 Sanken（三健电子）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种高效率电源系统。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：500V
　　最大漏极电流 Id：6A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 1.2Ω（Vgs=10V）
　　栅极阈值电压 Vgs(th)：2V~4V
　　最大功耗 Pd：40W
　　工作温度范围：-55℃~+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

SSS6N55 MOSFET 的设计注重高效率和稳定性，具有较低的导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。其高耐压能力（500V）使其适用于各种高电压开关电路。此外，该器件具备良好的热稳定性和散热性能，能够在高功率工作条件下保持可靠运行。SSS6N55 还具有快速开关特性，适用于高频开关电源应用，减少开关损耗。
　　该 MOSFET 采用 TO-220 封装，便于安装和散热管理，适合工业级应用环境。其栅极驱动要求较低，兼容常见的 10V 栅极驱动电路，适用于多种控制方案。SSS6N55 在设计上优化了电磁干扰（EMI）特性，有助于提高系统的电磁兼容性。
　　该器件还具备过热保护和短路耐受能力，提高了在严苛工作环境下的可靠性。由于其高耐用性和稳定性，SSS6N55 被广泛用于开关电源（SMPS）、LED 驱动器、逆变器、电池充电器以及各种工业自动化设备中。

应用

SSS6N55 主要用于需要高电压和中等电流能力的功率开关应用。典型应用包括开关电源（如适配器、AC/DC 转换器）、DC-DC 转换器、电机控制、照明驱动（如 LED 驱动电源）、电池管理系统、UPS 不间断电源、逆变器、工业控制设备等。此外，由于其良好的高频开关性能，SSS6N55 也适用于一些高频电源变换器和节能照明系统。