SSS5N60A 时间：2025/9/3 19:02:02 阅读：8

SSS5N60A是一款常用的N沟道功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、马达驱动器和电源管理等领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等优点，适合于中高功率应用。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.5A（在25°C）
　　最大功耗（Pd）：45W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（最大）
　　封装形式：TO-220

特性

SSS5N60A功率MOSFET具有以下显著特性：首先，它具备高耐压能力，漏源击穿电压可达600V，使其适用于高电压开关应用。其次，其栅极驱动电压范围较宽，通常可在0V至20V之间工作，这使得该器件与多种驱动电路兼容。此外，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，SSS5N60A采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于较高功率密度的设计。在可靠性方面，该MOSFET具有良好的热稳定性和抗冲击能力，适用于工业环境下的长期运行。另外，其快速开关特性有助于提高电路的响应速度，适用于高频开关应用。综上所述，SSS5N60A是一款性能稳定、适用范围广的功率MOSFET器件。

应用

SSS5N60A广泛应用于各类电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED驱动电源、马达控制电路、负载开关以及各种电源管理系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性，也常用于家电产品中的功率控制部分，如电磁炉、变频空调等。此外，该器件还可用于电池充电器、工业自动化设备和智能电表等对功率控制有较高要求的应用场景。