时间：2025/12/29 14:50:35
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SSS5N60是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压、高频率的开关应用。这款MOSFET具有高耐压能力，常用于电源转换、电机控制以及照明设备等领域。其设计优化了导通电阻和开关损耗之间的平衡，从而提高整体效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：5A
最大漏-源电压：600V
导通电阻（Rds(on)）：约1.5Ω
栅极阈值电压：2V ~ 4V
封装形式：TO-220或DIP
SSS5N60具有低导通电阻的特点，可以减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较高的耐压能力，适用于高压环境下的应用。其快速开关特性使其在高频应用中表现优异，例如开关电源、DC-DC转换器等。此外，该MOSFET具有较强的过热保护能力，能在高温环境下保持稳定工作。
在结构设计上，SSS5N60采用了优化的芯片布局，以降低寄生电容并提升开关速度。这种设计还减少了开关过程中产生的电磁干扰（EMI），提高了系统的稳定性和可靠性。此外，其封装形式具有良好的散热性能，有助于提高整体耐久性。
SSS5N60广泛应用于开关电源（SMPS）、LED照明驱动电路、电机驱动器、逆变器以及家电控制电路等场景。由于其具备高耐压和较高的电流处理能力，因此特别适合用于需要高效率和高稳定性的电子系统中。
KSD5N60、FQP5N60、IRF5N60
