SSS1629A5-U6C 是一款高性能的 N 沃特(N-Channel)增强型功率 MOSFET 芯片,适用于各种开关和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
这种功率 MOSFET 常用于直流-直流转换器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动等场景。通过优化的封装设计和卓越的电气特性,SSS1629A5-U6C 提供了高效能表现和可靠的工作稳定性。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:4.3A
导通电阻:7mΩ
栅极电荷:15nC
开关速度:非常快
工作温度范围:-55℃至150℃
SSS1629A5-U6C 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可以显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高速开关能力使其适合高频应用环境。
3. 改进的热阻特性确保在高温条件下也能保持稳定运行。
4. 小尺寸封装,便于 PCB 设计和布局优化。
5. 符合 RoHS 标准,环保且兼容多种工业规范。
这些特性使得 SSS1629A5-U6C 成为许多电源管理和功率控制应用的理想选择。
SSS1629A5-U6C 的典型应用场景包括:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
3. 各类锂电池保护电路中的电子保险丝。
4. LED 驱动器和小型电机驱动控制。
5. 汽车电子系统中的信号切换和功率调节。
其广泛的应用领域得益于其高效的电力传输能力和稳定的性能表现。
SSS1629A5-U6T, FDMQ8205, AO4402A