您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SSS13N60B

SSS13N60B 发布时间 时间:2025/8/25 0:07:59 查看 阅读:9

SSS13N60B 是一款由 Silan(士兰微电子)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高电压和高电流应用,具有低导通电阻、高耐压能力以及优良的热稳定性。SSS13N60B 主要用于电源管理、开关电源、电机控制、逆变器以及各种需要高效率功率开关的场合。其封装形式通常为 TO-220 或 TO-263(D2PAK),便于散热和集成。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压 Vds:600V
  最大栅源电压 Vgs:±30V
  最大连续漏极电流 Id:13A(在 Tc=25℃)
  最大功率耗散 Pd:125W
  导通电阻 Rds(on):典型值 0.45Ω @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-220 / TO-263

特性

SSS13N60B 具备出色的导通性能和开关特性,适用于多种功率电子设备。其主要特性包括:
  1. **高耐压性能**:600V 的最大漏源电压使其适用于高压电源和开关电路,能够有效防止因电压尖峰导致的损坏。
  2. **低导通电阻**:典型值为 0.45Ω 的 Rds(on) 可以显著降低导通损耗,提高系统的整体效率。
  3. **高电流承载能力**:最大连续漏极电流可达 13A,适合需要大电流驱动的应用,如电机控制和功率变换器。
  4. **良好的热稳定性**:采用高导热封装(如 TO-220 或 TO-263),具备良好的散热能力,确保在高功率条件下稳定运行。
  5. **宽工作温度范围**:-55℃ 至 +150℃ 的温度范围使其能够在恶劣环境下正常工作,提升系统的可靠性。
  6. **栅极驱动兼容性**:±30V 的栅源电压范围使其与常见的 PWM 控制器兼容,简化了驱动电路的设计。
  7. **快速开关特性**:该器件具备较快的开关速度,有助于减少开关损耗,提高功率转换效率。
  8. **过载和短路保护能力**:通过合理设计栅极驱动和外部保护电路,可以实现对系统的过载和短路保护。

应用

SSS13N60B 广泛应用于各种功率电子系统中,包括:
  1. **开关电源(SMPS)**:作为主开关或同步整流器,提高电源转换效率。
  2. **DC-AC 逆变器**:用于太阳能逆变器、UPS 和变频器等设备中,实现直流到交流的高效转换。
  3. **电机控制**:作为 H 桥或 PWM 控制电路中的功率开关,用于直流电机、步进电机和伺服电机的调速与控制。
  4. **工业自动化**:在工业控制和自动化系统中,用于负载开关、继电器替代和固态继电器(SSR)设计。
  5. **LED 照明驱动**:用于 LED 驱动电源中的功率转换部分,实现高效恒流/恒压输出。
  6. **电池管理系统(BMS)**:作为充放电控制开关,用于电动汽车、储能系统和便携设备中。
  7. **家电控制**:在空调、洗衣机、电饭煲等家电中用于功率负载控制,如压缩机、风扇和加热元件等。

替代型号

FQA13N60C、IRFPC50、STP12NM60ND、SGM6060

SSS13N60B推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价