SSQ-122MHT 时间：2025/9/28 8:03:58 阅读：7

SSQ-122MHT是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装（SMD）肖特基势垒二极管阵列，采用双二极管共阴极配置，封装为SOT-563（也称为SC-88），适用于高频、低电压应用。该器件设计用于高速开关和信号整流场合，凭借其低正向压降和快速反向恢复时间，在便携式电子设备中表现出色。SSQ-122MHT广泛应用于电源管理、电池供电系统、DC-DC转换器、信号解调以及ESD保护电路中。由于其微型封装和高集成度，特别适合对空间要求严格的便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线传感器等。该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。此外，SSQ-122MHT具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业级和商业级应用场景。

参数

型号：SSQ-122MHT
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　封装类型：SOT-563 (SC-88)
　　引脚数：6
　　二极管配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：20 V
　　最大直流反向电压（VR）：20 V
　　最大正向电流（IF）：200 mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：400 mA
　　最大正向压降（VF）：0.38 V @ 10 mA, 0.58 V @ 100 mA
　　反向漏电流（IR）：0.1 μA @ 20 V, 25°C
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值 4 ns
　　功率耗散（Ptot）：250 mW
　　焊接温度（Ts）：260°C, 10 秒

特性

SSQ-122MHT的核心特性之一是其采用肖特基势垒技术，这使得它在正向导通时具有非常低的压降，通常在10mA电流下仅为0.38V左右，显著低于传统PN结二极管。这种低VF特性有助于降低功耗，提高系统效率，尤其是在电池供电的应用中至关重要。同时，由于肖特基二极管的载流子机制不同于普通二极管，其开关速度极快，反向恢复时间（trr）典型值仅为4ns，几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关电路中能有效减少开关损耗和电磁干扰。
　　该器件采用SOT-563六引脚超小型封装，尺寸仅为2.0mm x 1.25mm x 0.95mm，非常适合高密度PCB布局和自动化贴片生产。封装结构优化了热性能和电气连接，确保在紧凑空间内仍具备良好的散热能力和信号完整性。双共阴极配置允许两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极引脚，常用于双路整流、电压钳位或逻辑电平转换等场景。
　　SSQ-122MHT具备出色的反向漏电流控制能力，在25°C环境下，20V反向电压下的漏电流仅0.1μA，有助于提升待机状态下的能效表现。其工作结温可达+125°C，支持在恶劣热环境中长期稳定运行。此外，该器件通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于汽车电子中的次级电源管理模块。整体设计兼顾了高性能、小型化与可靠性，是现代便携式电子系统中理想的高频整流与保护元件。

应用

SSQ-122MHT广泛应用于需要高效、高速和小尺寸二极管解决方案的各类电子设备中。在移动通信设备中，常用于天线切换电路中的ESD保护和信号路径的直流阻断与钳位。在便携式消费电子产品如智能手机和平板电脑中，该器件可用于USB接口的电源管理、电池充电路径的防倒灌保护以及DC-DC升压/降压转换器中的续流二极管。由于其低正向压降和快速响应特性，也非常适合用于低电压逻辑电平转换电路，实现不同电压域之间的信号兼容性处理。
　　在无线耳机、智能手表等可穿戴设备中，SSQ-122MHT的小型封装和低功耗特性使其成为理想选择，有助于延长电池续航时间并节省宝贵的PCB空间。此外，该器件还可用于音频信号处理电路中的限幅与削峰，防止过压损坏后续放大器或ADC模块。在工业传感器和IoT节点设备中，常被用作电源输入端的瞬态抑制和反接保护元件。
　　在射频前端模块中，SSQ-122MHT可用于本振信号的检波与解调，利用其快速响应能力提取调制信息。其共阴极双二极管结构也可构建简单的或门逻辑，在某些数字接口隔离电路中发挥作用。总体而言，该器件适用于所有对空间、效率和响应速度有较高要求的低电压、低电流应用场景。