SSP4N90A 时间：2025/5/30 10:20:58 阅读：6

SSP4N90A是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高功率场景。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效提高效率并降低功耗。其封装形式为TO-220，适合散热需求较高的应用环境。
　　这款MOSFET的主要功能是通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动，适用于高频开关和负载切换场景。

参数

最大漏源电压：900V
　　最大漏极电流：4A
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻：7.5Ω（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗：115W
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

SSP4N90A具有高耐压能力，可以承受高达900V的漏源电压，适用于高压电路环境。
　　它的导通电阻较低，在栅极电压为10V时仅为7.5Ω，这有助于减少传导损耗。
　　该器件支持快速开关操作，具备较低的输入电容和栅极电荷，从而提高了工作效率。
　　它的工作温度范围宽广，从-55℃到+175℃，使其能够在恶劣环境下稳定运行。
　　此外，SSP4N90A采用了标准的TO-220封装，便于安装和散热设计。

应用

SSP4N90A主要应用于需要高压开关的场景，包括但不限于以下领域：
　　- 开关电源中的功率转换
　　- 电机驱动和控制
　　- 太阳能逆变器
　　- LED照明驱动
　　- 电磁阀和继电器驱动
　　- 工业自动化设备中的负载切换
　　由于其高耐压和低导通电阻特性，它也非常适合用于各种工业级和消费级电子产品中。