时间：2025/8/25 2:57:54
阅读：6
SSP4N50是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由STMicroelectronics制造。该晶体管设计用于高功率开关应用，具有高耐压和高电流承载能力的特点。MOSFET在电子电路中广泛用于功率转换、电源管理和电机控制等领域。SSP4N50采用TO-220封装，适用于需要高可靠性和高效率的工业和消费类应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：500V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：约1.5Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
SSP4N50是一款高性能功率MOSFET，其主要特性之一是其高耐压能力，漏极-源极电压（Vds）高达500V，这使得它能够在高压环境中稳定工作。此外，该器件的连续漏极电流为4A，能够支持较高的功率需求。尽管其导通电阻（Rds(on)）相对较高（约1.5Ω），但其在高温下的稳定性和可靠性使其在许多功率开关应用中表现出色。
SSP4N50的栅极-源极电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制能力，同时在过电压条件下具备一定的保护能力。其TO-220封装形式不仅便于散热，还简化了在PCB上的安装和使用。此外，该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，确保其在各种环境条件下均能可靠运行。
由于其高耐压和良好的热稳定性，SSP4N50在电源管理、电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等应用中表现出色。该器件适用于需要高可靠性和稳定性的工业设备、消费电子产品以及汽车电子系统。
SSP4N50广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高电压耐受和高效功率转换的场合。该器件常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流器中的功率开关元件，能够有效控制能量流动并提高系统效率。此外，SSP4N50也适用于电机控制电路，如变频器和直流电机驱动器，提供稳定的开关性能。
在工业自动化系统中，该MOSFET可用于控制继电器、电磁阀和执行机构等负载。由于其具备良好的热稳定性和过载能力，SSP4N50也适用于电池管理系统和太阳能逆变器等新能源应用。此外，该器件还可用于照明控制、家用电器和消费类电子产品中的功率调节电路。
STP4N50Z, FQP4N50, IRF840, SSP4N60
