类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：100V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：3A（在25℃）
　　最大功耗(PD)：50W
　　导通电阻(RDS(on))：约1.2Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220 / TO-252

SSP3N100 MOSFET具有多项优异的电气特性，适合多种高效率功率转换应用。
　　首先，其最大漏源电压为100V，能够在中高压应用中稳定工作，如AC/DC适配器、DC/DC转换器和电池充电器。最大栅源电压为±20V，使得其可以兼容常见的驱动电路设计，如PWM控制器和微处理器输出信号。
　　其次，该器件的最大连续漏极电流为3A（在25℃环境温度下），在实际应用中需考虑散热条件以确保在较高温度下仍能保持稳定工作。其导通电阻RDS(on)的典型值为1.2Ω，这在同类器件中属于较低水平，有助于降低导通损耗并提高整体效率。
　　此外，SSP3N100的最大功耗为50W，具备良好的散热能力，尤其在TO-220封装下，能够通过散热片有效导出热量，从而提高系统的稳定性和可靠性。工作温度范围从-55℃到+150℃，适用于工业级和部分汽车电子应用环境。
　　该MOSFET的封装形式通常为TO-220或TO-252（DPAK），其中TO-220封装适合插件安装，具有良好的散热性能；TO-252则为表面贴装形式，适用于自动化生产流程和空间受限的设计。
　　综合来看，SSP3N100是一款性能稳定、成本适中的中压功率MOSFET，广泛应用于各种中小型功率电子设备中。

SSP3N100 MOSFET适用于多种功率电子应用，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC/DC和DC/DC转换器中的主开关元件，提供高效的能量转换。
　　2. 电机控制：用于直流电机的驱动和调速控制电路中，特别是在小功率电机控制系统中表现良好。
　　3. 负载开关：用于控制高电压或高电流负载的开关操作，如LED驱动、继电器替代和电源管理系统。
　　4. 电池管理系统（BMS）：用于充放电控制电路中，确保电池的安全运行。
　　5. 工业自动化和控制设备：用于PLC、传感器和执行器等模块中的功率开关控制。
　　6. 汽车电子：如车载充电器、灯光控制系统等，满足一定的环境温度和可靠性要求。
　　7. 家用电器：如电风扇、电饭煲等内部功率控制电路中，实现节能和高效运行。

IRFZ44N, FQP3N100, 2N6764, SiE442ADN