SSP35N03 时间：2025/12/29 14:13:51 阅读：16

SSP35N03 是一款由 Sanken（三健）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，常用于高频率开关应用和电源管理领域。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和良好的热稳定性，适用于 DC-DC 转换器、电源开关、马达控制以及电池供电设备等应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：35A
　　导通电阻（Rds(on)）：约 6.5mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220 或 TO-252（根据具体型号）

特性

SSP35N03 的核心特性在于其低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。其 Rds(on) 典型值约为 6.5mΩ，在大电流应用中表现尤为出色。
　　此外，该 MOSFET 具有高电流容量，能够承受高达 35A 的连续漏极电流，适用于需要高功率密度的设计。其封装形式（如 TO-220 或 TO-252）也便于安装和散热管理。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 4.5V 至 20V 之间工作，使其兼容多种驱动电路。同时，其高耐压能力和良好的热稳定性确保在高频率开关操作中具有出色的可靠性。
　　SSP35N03 的设计还考虑了短路保护和过温保护的特性，能够在异常工况下提供一定程度的自我保护，从而延长器件寿命并提高系统安全性。
　　总的来说，SSP35N03 是一款性能优异的功率 MOSFET，适用于需要高效能、高可靠性和高电流处理能力的电子系统。

应用

SSP35N03 主要应用于电源管理系统，例如 DC-DC 转换器、同步整流器和电池充电器。其高电流承载能力和低导通电阻也使其成为马达控制和电源开关的理想选择。
　　在工业自动化设备中，该器件可用于驱动继电器、电磁阀和其他执行机构。在电池供电设备中，SSP35N03 可用于提高能效并延长电池寿命。
　　此外，该 MOSFET 还广泛用于服务器电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及汽车电子系统中的功率管理模块。