型号：SSM9435
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：16A
　　脉冲漏极电流（IDM）：60A
　　导通电阻RDS(on)@VGS=10V：4.5mΩ
　　导通电阻RDS(on)@VGS=4.5V：6.0mΩ
　　栅极电荷（Qg）：18nC @ VGS = 10V
　　输入电容（Ciss）：1020pF @ VDS = 15V
　　反向恢复时间（trr）：22ns
　　阈值电压（Vth）：1.2V ~ 2.0V
　　功耗（PD）：2.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8（带散热焊盘）/ TDFN-8

SSM9435采用高性能沟槽栅极工艺设计，具有极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时典型值仅为4.5mΩ，有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。这一特性特别适合用于大电流输出的同步整流DC-DC变换器中，能够显著减少发热，提升能效比。此外，在VGS=4.5V的低压驱动条件下，其RDS(on)仍可保持在6.0mΩ左右，说明该器件具备良好的低压驱动能力，兼容3.3V或5V逻辑电平控制信号，无需额外增加电平转换电路即可直接由微控制器或电源管理IC驱动，简化了外围设计。
　　该MOSFET拥有较低的栅极电荷（Qg=18nC），有助于加快开关速度，降低开关过程中的能量损耗，从而进一步提高高频应用下的转换效率。同时，输入电容Ciss为1020pF，在同类产品中处于合理水平，有助于平衡开关速度与驱动功耗之间的关系。反向恢复时间trr为22ns，表明体二极管具有较快的响应能力，对于防止桥式电路中的直通电流和减小电磁干扰（EMI）有积极作用。
　　SSM9435的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，展现出卓越的热稳定性和环境适应性，可在严苛工业环境下长期可靠运行。其封装形式为SOP-8或TDFN-8，并带有底部散热焊盘，可通过PCB上的大面积铺铜实现高效散热，提升功率承载能力。器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护潜力，结合适当的外部保护电路（如限流、过温检测），可用于构建高鲁棒性的电源系统。总体而言，SSM9435是一款集低导通电阻、快速开关、高可靠性于一体的先进功率MOSFET，适用于多种高性能电源应用场景。

SSM9435主要应用于各类需要高效功率开关的电子系统中，典型用途包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，作为主开关管或整流管使用，以提升转换效率并降低温升；也可用于电池供电设备中的负载开关，实现对不同功能模块的上电时序控制与节能管理。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、移动电源中，SSM9435常被用作电源路径管理的核心元件，负责切换充电与放电模式，或隔离备用电源。此外，它还可用于电机驱动电路中的H桥拓扑结构，控制直流电机或步进电机的正反转及调速操作。在工业控制系统中，该器件可用于继电器替代方案、固态开关或LED恒流驱动电路，实现无触点、长寿命的功率控制。由于其支持高频率开关动作，也适用于无线充电发射端的功率驱动级。在网络通信设备中，SSM9435可用于PoE（以太网供电）接口的后级稳压与保护电路。总之，凡是需要低损耗、高效率、小体积功率开关的场合，SSM9435均是一个理想选择。

SI9435DY-T1-E3
　　AO9435
　　FDS9435A
　　NXM9435N