时间：2025/6/17 6:13:15
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SSM6P16FU 是一款由索尼（Sony）制造的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 封装。这款器件主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。其高击穿电压和低导通电阻特性使其非常适合高效能功率转换电路。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：16A
栅极电荷：48nC
导通电阻：35mΩ
功耗：100W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
SSM6P16FU 具有出色的电气性能和可靠性，主要特点如下：
- 高击穿电压 (60V)，确保在高压环境下的稳定运行。
- 极低的导通电阻 (35mΩ)，可有效降低功率损耗，提高效率。
- 快速开关能力，得益于较小的栅极电荷 (48nC)，适合高频应用。
- 工作温度范围宽 (-55℃ 至 175℃)，适用于极端环境条件。
- 小型 TO-252 封装设计，节省 PCB 空间。
SSM6P16FU 广泛应用于各种需要高效功率转换的领域，包括但不限于以下应用：
- 开关模式电源 (SMPS) 的同步整流和功率级开关。
- DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代元件。
- 电机驱动中的桥式电路元件。
- 各种负载开关和保护电路中的开关元件。
- LED 驱动器中的电流控制元件。
IRFZ44N, FDP55N10, STP16NF06
