时间：2025/8/2 7:50:40
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SSM6N48FU 是一款由 Sanken（三健电子）制造的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 P 沟道结构，适用于高边开关和负载开关应用。该器件封装在 SOT-723 小型封装中，适合空间受限的电路设计。SSM6N48FU 具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，广泛用于电池供电设备、便携式电子产品和电源管理系统。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：-40V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id（在 25°C）：-4A
导通电阻 Rds(on)：58mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-723
SSM6N48FU 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。这种特性在需要高电流能力但又受限于功耗的应用中尤为重要。
另一个关键特性是其高耐压能力，最大漏源电压为 -40V，使其能够承受较高的电压应力，适用于多种电源管理场景。此外，该器件支持 ±20V 的最大栅源电压，确保了在不同控制信号下的稳定运行。
该 MOSFET 在 SOT-723 封装中实现了高性能与小型化设计的结合，适用于空间受限的便携式设备。该封装具有良好的热性能，确保在高负载下仍能保持稳定工作。
SSM6N48FU 的工作温度范围宽，从 -55°C 到 150°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用。其良好的热稳定性和可靠性使其成为工业级应用的理想选择。
SSM6N48FU 广泛应用于便携式电子设备中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备。它可以用作高边开关或负载开关，实现对不同电源域的高效控制。
该器件也常用于电池供电系统的电源切换和保护电路中，确保系统的稳定性和安全性。在 DC-DC 转换器中，SSM6N48FU 可作为同步整流器使用，提高转换效率并减少热量产生。
工业自动化设备、传感器模块和低功耗嵌入式系统也是其典型应用领域。在这些应用中，SSM6N48FU 提供了可靠的开关性能和高效的能量传输能力，满足对小型化和低功耗的双重需求。
Si2301DS、FDMS86180、AO4406A
