时间：2025/6/5 13:13:50
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SSM6N43FU.LF(T) 是一款由东芝 (Toshiba) 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 LFPAK56 封装，适合高效率、低功耗的应用场景。其主要用途是作为开关元件或放大器，在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中广泛使用。
这款功率 MOSFET 具有较低的导通电阻和快速的开关速度，非常适合需要高效能转换的电路设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：2.7mΩ
栅极电荷：48nC
开关时间：ton=9ns, toff=15ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：LFPAK56
SSM6N43FU.LF(T) 的主要特点是其超低导通电阻 (Rds(on)) 和高电流处理能力。这使得它在高功率密度应用中表现优异，并且能够有效降低传导损耗。
此外，它的快速开关特性和低栅极电荷确保了高效的切换操作，从而减少了开关损耗。
由于其宽泛的工作温度范围 (-55°C 到 +175°C)，该 MOSFET 能够适应恶劣环境下的应用需求。同时，该器件还具有良好的热稳定性和耐用性，能够在长时间运行中保持性能。
SSM6N43FU.LF(T) 常用于以下领域：
- DC/DC 转换器
- 开关电源 (SMPS)
- 电机驱动器
- 工业自动化设备中的功率级管理
- 汽车电子系统，如车身控制模块和辅助驾驶系统
- 高效 LED 驱动器
其卓越的性能使其成为许多高性能、高可靠性应用的理想选择。
SSM6N43FU, FDP5570, IRFZ44N
