SSM6N16FU 时间：2025/6/19 17:36:34 阅读：2

SSM6N16FU 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由富士电机（Fuji Electric）生产。该器件采用 TO-263 封装，适用于高电流和高电压的应用场景，具有较低的导通电阻和良好的开关性能，适合用于工业设备、电源管理和各类电子系统中的功率转换与控制。
　　这种 MOSFET 以其出色的电气特性和可靠性而著称，能够实现高效能的功率传输和精准的电路控制。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：16A
　　导通电阻：0.18Ω
　　栅极阈值电压：2V~4V
　　总功耗：150W
　　工作结温范围：-55℃~+150℃

特性

SSM6N16FU 的主要特性包括以下几点：
　　1. 高耐压能力：其 600V 的最大漏源电压使其能够适应高压环境下的应用需求。
　　2. 低导通电阻：在典型条件下，其导通电阻仅为 0.18Ω，这有助于减少功率损耗并提高效率。
　　3. 快速开关性能：由于 MOSFET 结构的特点，SSM6N16FU 具备快速的开关速度，适合高频应用场景。
　　4. 可靠性强：具备优异的热稳定性和抗浪涌能力，能够在恶劣环境下长期运行。
　　5. 小型化封装：TO-263 封装设计兼顾了散热性能和空间利用率，方便在紧凑型设计中使用。

应用

SSM6N16FU 广泛应用于需要高电压和大电流处理能力的领域，具体包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：如 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等。
　　2. 工业驱动：包括伺服电机驱动、变频器和其他功率调节系统。
　　3. 逆变器：用于太阳能发电系统或其他类型的电力转换装置。
　　4. 电池管理系统：为电池组提供充放电保护和均衡管理。
　　5. 各类负载切换和保护电路：例如过流保护、短路保护等功能模块。