SSM6K513NU 时间：2025/8/2 7:19:10 阅读：26

SSM6K513NU是一款由ROHM Semiconductor制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率的功率开关应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅极结构，能够提供更低的导通电阻（RDS(ON)）和更高的电流承载能力，同时保持较小的封装尺寸，适合高密度和高性能的电源管理设计。

参数

类型：N沟道
　　漏极-源极电压(Vds)：20V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：5.5A（在25℃时）
　　导通电阻(RDS(ON))：最大37mΩ（在4.5V Vgs时）
　　功率耗散(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：SOP（表面贴装封装）
　　安装类型：表面贴装

特性

SSM6K513NU具有优异的导通性能和较低的导通损耗，适用于需要高效能和快速开关操作的电路设计。其沟槽栅极结构提供了更低的RDS(ON)，从而减少了导通状态下的功率损耗。此外，该器件具有较高的电流承载能力，能够在较高温度下稳定运行，适合用于紧凑型设计的电源管理系统。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可以在4.5V至12V之间工作，使得其适用于多种驱动电路设计。其表面贴装封装（SOP）设计不仅节省了PCB空间，还简化了制造和装配过程，适合高密度的电路板设计。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能。
　　ROHM的SSM6K513NU在可靠性方面也表现出色，经过严格的质量测试，确保其在各种应用中的长期稳定性。其设计优化了开关损耗，提高了整体效率，特别适合用于需要快速切换和高效能的应用场景。

应用

SSM6K513NU广泛应用于各种电子设备中的电源管理部分，例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及各种需要高效能功率开关的场合。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于便携式设备、工业控制系统、汽车电子系统以及通信设备中的电源管理电路。此外，由于其优异的热性能，该MOSFET也可用于需要较高工作温度稳定性的工业和汽车应用中。