类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：4.1A
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：150mΩ @ VGS=10V
　　工作温度：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSMT6
　　功率耗散（PD）：2W
　　漏源击穿电压（BVDSS）：30V
　　栅极电荷（Qg）：12nC @ VGS=10V

SSM6J414TULF(T) 具有低导通电阻（RDS(on)）特性，使其在导通状态下的功率损耗最小化，从而提高了系统的整体效率。其 N 沟道设计允许器件在较低的栅极电压下工作，这使得其可以与标准逻辑电平直接兼容，简化了驱动电路的设计。
　　此外，该 MOSFET 的高耐压能力使其能够承受瞬时的电压波动和尖峰，提高了电路的稳定性。SSM6J414TULF(T) 还具有良好的热管理性能，能够在高温环境下保持稳定的运行。
　　封装方面，SSM6J414TULF(T) 使用的是 TSMT6 封装，这是一种小型化表面贴装封装，适用于自动化生产流程，同时减少了 PCB 上的空间占用。

SSM6J414TULF(T) 常用于多种电源管理应用中，包括但不限于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制电路。其低导通电阻和高耐压特性使其非常适合用于需要高效率和高可靠性的场合。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于电源适配器、充电器以及便携式设备的电源管理模块。在工业领域，SSM6J414TULF(T) 可用于电机控制、LED 照明驱动以及各种电源供应单元。
　　由于其良好的热管理和高可靠性，SSM6J414TULF(T) 也适用于环境条件较为严苛的应用场景，如汽车电子系统和户外通信设备。

Si2302DS, AO3400A, FDS6680