时间：2025/7/30 17:46:23
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SSM6J216FE,LF 是由 Sanken（三垦电气）生产的一款N沟道MOSFET，广泛用于电源管理和开关电路中。该器件采用高性能硅技术，提供低导通电阻和高可靠性，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：6A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：32mΩ @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：42mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散（PD）：2W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TSMT6
SSM6J216FE,LF 具备多项优良特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可降低导通损耗，提高系统效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为32mΩ，在VGS=4.5V时也仅为42mΩ，这使得该MOSFET适用于多种驱动电压环境。
其次，该器件的最大漏极电流为6A，漏极-源极耐压为30V，能够胜任中高功率应用的需求。同时，其栅极-源极最大电压为20V，提供了良好的栅极驱动稳定性，防止因过压损坏。
在热性能方面，该MOSFET采用TSMT6封装，具有良好的散热能力，确保在较高负载条件下仍能保持稳定运行。其最大功率耗散为2W，适用于紧凑型设计中的高效能需求。
此外，SSM6J216FE,LF的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种恶劣环境，增强了器件的可靠性和适用范围。该MOSFET在汽车电子、工业控制、消费类电子产品中均有广泛应用。
SSM6J216FE,LF 主要用于需要高效能MOSFET的电路中，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制、LED驱动电路以及各种电源管理模块。由于其低导通电阻和良好的热稳定性，它也非常适合用于便携式设备和高密度电源设计中。
Si2302DS, TPC8104, AO3400A
