SSM6J206FE是罗姆(ROHM)公司生产的N沟道功率MOSFET。这款器件主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景,其采用TO-252(DPAK)封装形式。该芯片具有较低的导通电阻以及出色的热性能,非常适合于电源管理、电机驱动和工业设备中的负载切换应用。
SSM6J206FE的工作电压范围较宽,能够承受高达60V的漏源极电压,同时具备快速开关特性,适用于各种高效率、紧凑型设计的需求。
最大漏源极电压:60V
最大栅源极电压:±20V
持续漏极电流:1.8A
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(在Vgs=10V时)
功耗:1.35W
工作温度范围:-55℃至+150℃
SSM6J206FE具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗,提升系统效率。
2. 较高的漏源极电压耐受能力(60V),确保了在不同应用场景下的可靠性。
3. 快速开关速度,适合高频开关应用,例如DC-DC转换器。
4. 具备优秀的热稳定性,能够在高温环境下长时间稳定工作。
5. 小巧的TO-252封装,节省PCB空间,便于布局和散热设计。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子产品制造需求。
SSM6J206FE广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流或负载开关。
2. DC-DC转换器模块中作为高效开关元件。
3. 电池供电设备中的保护电路及负载控制。
4. 工业自动化设备中的信号隔离与电机驱动。
5. 消费类电子产品的电源管理和负载切换功能。
6. LED驱动器和汽车电子中的功率控制部分。
SSM6J208EF
IRLML6402TRPBF
FDP16N20Z