时间：2025/4/30 15:45:45
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SSM3K56MFV是一款由ROHM公司生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用L3F封装形式，广泛应用于需要高效率、低导通电阻和快速开关特性的电路中，例如开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。
其设计旨在提供优异的电气性能，同时保持紧凑的封装尺寸以适应现代电子设备对空间的严格要求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：8.6A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：29nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ to 150℃
SSM3K56MFV具有极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功耗并提升系统效率。
此外，该器件具备出色的热稳定性和耐受雪崩能力，确保在严苛环境下的可靠运行。
由于采用了先进的半导体制造工艺，SSM3K56MFV还拥有较小的封装体积和较轻的质量，非常适合用于便携式设备和其他对空间敏感的设计。
其快速开关性能减少了开关损耗，并且可以与现代控制IC很好地配合使用。
SSM3K56MFV适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 消费类电子产品中的负载开关
4. 小型电机驱动器
5. 工业自动化设备中的功率管理模块
6. 电池管理系统中的充放电控制
IRF7423TRPBF, AO3402A
