SSM3K35CT,L3F(B) 是一款双极性晶体管(BJT),专为高频和高功率应用设计。该器件采用TO-252封装形式,具有良好的热性能和电气特性,适用于各种功率放大器、开关电路以及线性稳压器等场景。它具备较高的集电极-发射极电压耐受能力,并且在高频条件下仍然能够保持稳定的增益。
集电极-发射极击穿电压:40V
集电极最大电流:2A
功耗:2W
频率范围:1GHz
增益带宽积:1GHz
存储温度范围:-55℃至+150℃
工作结温:-55℃至+150℃
SSM3K35CT,L3F(B) 的主要特点是其高频性能优越,在高达1GHz的工作频率下仍能维持稳定表现。此外,它还具有较低的噪声系数和优秀的线性度,适合用于通信设备中的射频放大器。同时,由于采用了先进的工艺制造,该晶体管能够在满足工业级或汽车级应用的需求。
它的封装形式(TO-252)也便于安装和散热管理,进一步增强了其在实际系统中的适用性。
该晶体管广泛应用于无线通信基础设施、蜂窝基站功率放大器、雷达系统以及其他需要高频、大功率处理能力的场合。此外,它还可作为高速开关元件使用,例如在脉冲宽度调制(PWM)控制器中发挥关键作用。对于便携式电子产品,如智能手机和平板电脑内的信号增强模块,SSM3K35CT,L3F(B) 同样是一个理想选择。
SSM3J35C, SSM3K35CT,L3G