SSM3K329R 是一款高性能的 N 沃特 (N-Watt) MOSFET 功率晶体管,专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的半导体工艺技术制造,能够提供较低的导通电阻和快速的开关性能,非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关等应用。
这款 MOSFET 属于增强型场效应晶体管,通过栅极电压控制漏极电流。SSM3K329R 提供了出色的效率和可靠性,能够在各种严苛的工作条件下保持稳定的性能。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(VDS):30 V
最大栅源电压(VGS):±20 V
连续漏极电流(ID):16 A
导通电阻(RDS(on)):5.5 mΩ(典型值,VGS=10V)
总栅极电荷(Qg):34 nC
输入电容(Ciss):2820 pF
输出电容(Coss):205 pF
反向传输电容(Crss):75 pF
功耗(PD):30 W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
SSM3K329R 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 RDS(on),可有效降低功率损耗并提升系统效率。
2. 快速的开关速度,适合高频应用。
3. 高电流处理能力,支持高达 16A 的连续漏极电流。
4. 宽泛的工作电压范围,最高耐压可达 30V。
5. 优化的封装设计,提高了散热性能和机械稳定性。
6. 出色的热稳定性,在高温环境下依然可以保持可靠运行。
7. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
SSM3K329R 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的主开关或辅助开关。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 电信和网络设备中的电源管理模块。
6. 汽车电子中的电源切换和保护电路。
7. 工业自动化设备中的功率控制单元。
SSM3J329R, SSM3K328R