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SSM3K301T 发布时间 时间:2025/5/30 10:16:01 查看 阅读:8

SSM3K301T 是一款由罗姆(ROHM)半导体制造的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件主要应用于需要低导通电阻和快速开关特性的电路中,广泛适用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
  其设计目标是提供高效率和高性能表现,特别适合用于负载开关、同步整流器以及DC-DC转换器等应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.8A
  导通电阻(典型值):9mΩ
  栅极电荷:16nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

SSM3K301T 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能确保在高频应用中的卓越表现。
  3. 小型封装选项支持更高的空间利用率,适合便携式设备。
  4. 提供了优异的热稳定性和可靠性,在高温环境下依然保持良好性能。
  5. 符合RoHS标准,环保且兼容无铅焊接工艺。

应用

该MOSFET器件的主要应用场景包括:
  1. 开关电源及DC-DC转换器中的功率开关元件。
  2. 各类负载开关和保护电路中的关键组件。
  3. 在电池供电设备中用作高效电源管理解决方案。
  4. 电机驱动和照明控制等需要精确电流控制的场合。
  5. 同步整流电路以提升整体系统效率。

替代型号

SSM3J383T, SSM3K302T

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