时间：2025/5/30 10:16:01
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SSM3K301T 是一款由罗姆（ROHM）半导体制造的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件主要应用于需要低导通电阻和快速开关特性的电路中，广泛适用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
其设计目标是提供高效率和高性能表现，特别适合用于负载开关、同步整流器以及DC-DC转换器等应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（典型值）：9mΩ
栅极电荷：16nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SSM3K301T 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能确保在高频应用中的卓越表现。
3. 小型封装选项支持更高的空间利用率，适合便携式设备。
4. 提供了优异的热稳定性和可靠性，在高温环境下依然保持良好性能。
5. 符合RoHS标准，环保且兼容无铅焊接工艺。
该MOSFET器件的主要应用场景包括：
1. 开关电源及DC-DC转换器中的功率开关元件。
2. 各类负载开关和保护电路中的关键组件。
3. 在电池供电设备中用作高效电源管理解决方案。
4. 电机驱动和照明控制等需要精确电流控制的场合。
5. 同步整流电路以提升整体系统效率。
SSM3J383T, SSM3K302T
