SSM3K01F是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件具有出色的开关特性和耐热性能,适合于功率转换、负载切换以及DC-DC转换器等应用。其小型化的封装设计有助于节省PCB空间,同时保持高性能表现。
SSM3K01F采用USP-6C封装形式,具备极低的导通电阻(Rds(on)),在高频应用中可以显著减少功耗并提高效率。
最大漏源电压:20V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:4.2A
导通电阻(Rds(on)):30mΩ
总功耗:1.7W
工作结温范围:-55℃至150℃
封装形式:USP-6C
SSM3K01F的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,可降低导通损耗,适用于高效率需求的应用场景。
2. 高速开关能力,支持高频操作,适合开关电源和DC-DC转换器。
3. 小尺寸USP-6C封装,能够有效节省PCB空间,满足紧凑型设计要求。
4. 优秀的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 提供精确的阈值电压控制,便于电路设计和优化。
6. 符合RoHS标准,环保且适用于现代电子设备制造需求。
SSM3K01F适用于以下应用场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流和降压/升压控制。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 各类消费类电子产品中的负载切换功能。
5. 工业自动化设备中的信号驱动和功率控制。
6. 汽车电子系统中的电机驱动和电源管理模块。
SSM3J383Y, SSM3K01T, AO3400