SSM3J338R 是一款由罗姆(ROHM)半导体公司生产的低噪声、高增益的 NPN 型双极性晶体管。该晶体管采用 LF(B) 封装,适合用于高频放大器、混频器以及其他射频(RF)应用。它具有优异的频率特性,能够满足通信设备和无线模块中的高性能需求。
SSM3J338R 的设计注重在高频条件下提供稳定的电流增益和较低的噪声系数,因此广泛应用于各种对信号质量要求较高的场合。
集电极-发射极击穿电压:30V
集电极最大电流:200mA
直流电流增益(hFE):150(典型值)
特征频率(fT):4GHz
最大工作结温:150℃
封装类型:LF(B)
功耗:360mW
SSM3J338R 的主要特点是其卓越的高频性能。以下是其具体特性:
1. 高特征频率(fT),达到 4GHz,使其非常适合高频应用。
2. 具备低噪声系数,在高频放大器中能显著提高信号质量。
3. 稳定的工作特性和温度适应能力,能够在较宽的温度范围内保持一致性能。
4. 小型化的 LF(B) 封装形式,便于在紧凑型电路板上使用。
5. 适合用作射频前端放大器、混频器以及振荡器等组件的一部分。
SSM3J338R 主要应用于以下领域:
1. 射频和微波通信设备中的低噪声放大器(LNA)。
2. 混频器及倍频器设计。
3. 无线模块和物联网设备中的信号处理。
4. 高频开关电路。
5. 医疗成像、雷达系统和其他需要高性能射频元件的应用场景。
SSM3J339R, SSM3J336R