SSM3J334R 时间：2025/5/7 16:11:17 阅读：9

SSM3J334R是罗姆（ROHM）公司生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等优点。这种MOSFET通常被用于各种电源管理应用中，例如DC-DC转换器、负载开关以及电池保护电路等场景。
　　SSM3J334R的设计特别注重降低功耗，因此非常适合便携式设备和其他对能效有较高要求的应用场合。同时，其小型化的封装形式也便于在空间受限的环境中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　封装：USP-6B
　　Vds（漏源极击穿电压）：30V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.2mΩ（在Vgs=10V时）
　　Id（持续漏极电流）：80A
　　Qg（栅极电荷）：9nC
　　EAS（雪崩能量）：27mJ
　　fT（截止频率）：2.2GHz
　　Vgs（栅源极电压范围）：-1/+12V
　　Tj（结温范围）：-55/+150℃

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 高额定电流能力，可以支持高达80A的持续漏极电流。
　　3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷Qg。
　　4. 小型化封装USP-6B，适合于紧凑型设计需求。
　　5. 良好的热稳定性，在高温环境下也能保持稳定的电气性能。
　　6. 高雪崩能量承受能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
　　7. 宽广的工作温度范围，适应多种复杂环境下的应用需求。
　　8. 符合RoHS标准，满足环保要求。

应用

1. 开关电源中的同步整流器。
　　2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
　　3. 各类负载开关，例如USB端口控制。
　　4. 电池保护电路中的理想选择。
　　5. 汽车电子系统的电源管理模块。
　　6. 工业自动化设备中的驱动电路。
　　7. 电机控制和逆变器中的关键功率器件。
　　8. 其他需要高效、可靠功率切换的应用场景。