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SSM3J334R,LF 发布时间 时间:2025/6/19 17:34:24 查看 阅读:12

SSM3J334R,LF 是一款由 ROHM 公司生产的 N 沟道逻辑增强型功率 MOSFET。该器件采用 LF 封装形式,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于各种高效能的开关应用中。
  该芯片主要用于需要高频开关操作和低功耗的应用场合,如 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±10V
  持续漏极电流:2.5A
  导通电阻(典型值):6mΩ
  栅极电荷(典型值):8nC
  总电容(输入电容):125pF
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

这款功率 MOSFET 提供了超低的导通电阻以减少传导损耗,同时其快速开关能力确保了高效率的能量转换。
  此外,SSM3J334R,LF 的高温工作范围使其在恶劣环境下依然能够保持稳定的性能表现。
  它还具备优秀的热稳定性和抗静电能力(ESD),这进一步增强了器件的可靠性。
  其 LF 表面贴装封装设计非常适合自动化装配线,并有助于实现更小体积的终端产品。

应用

SSM3J334R,LF 广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子领域中的各种电路。
  例如,在笔记本电脑和平板电脑的电源管理系统中可以作为高效的开关元件使用;在 LED 照明驱动电路里提供精确的电流控制;还可以用于电信设备中的信号调节和保护电路。
  另外,由于其出色的电气特性和稳定性,也常被选用为电机驱动器的关键组件之一。

替代型号

SSM3J333R,LF
  2SK3641
  IRLML6402TRPBF

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SSM3J334R,LF参数

  • 现有数量219,113现货
  • 价格1 : ¥3.58000剪切带(CT)3,000 : ¥0.66779卷带(TR)
  • 系列U-MOSVI
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)71 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)5.9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)280 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1W(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23F
  • 封装/外壳SOT-23-3 扁平引线