时间：2025/5/14 16:54:44
阅读：8
SSM3J332R,LF(T) 是一款由 ROHM 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 LFPAK8 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。
这款 MOSFET 的设计注重效率与散热性能，能够满足消费电子、工业设备及通信设备中的高性能要求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷（典型值）：9nC
开关时间：ton=8ns，toff=12ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
SSM3J332R,LF(T) 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频操作环境。
3. 小尺寸 LFPAK8 封装，节省 PCB 空间同时具备良好的散热性能。
4. 较宽的工作温度范围，适应恶劣环境下的稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该器件广泛应用于多种领域：
1. 移动设备中的 DC-DC 转换器。
2. 笔记本电脑及其他便携式设备的负载开关。
3. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
4. 各类电源模块及 LED 驱动电路。
其卓越的性能使其成为许多需要高效能、小体积解决方案的理想选择。
SSM3J331R,LF(T)
IRLZ44N
FDP5802
