SSM3J328R 时间：2025/5/10 8:48:11 阅读：15

SSM3J328R 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种需要高效功率转换的场景。其封装形式为 SOT-23 封装，非常适合空间受限的应用场合。
　　SSM3J328R 的主要特点是其极低的导通电阻（典型值为 0.5Ω），这使得它在功率管理电路中能够减少功耗并提高效率。此外，它的漏源电压额定值为 30V，可承受较高的电压波动，同时支持高达 1.5A 的连续漏极电流。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±10V
　　连续漏极电流：1.5A
　　导通电阻：0.5Ω
　　总功耗：460mW
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

1. 采用 SOT-23 小型封装，适合紧凑型设计。
　　2. 具有较低的导通电阻，有助于降低功率损耗。
　　3. 支持高开关速度，适用于高频应用。
　　4. 提供优异的热稳定性和可靠性，适用于恶劣的工作环境。
　　5. 静电防护性能强，便于生产和装配过程中的处理。
　　6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。

应用

SSM3J328R 广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。具体应用场景包括：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电池保护电路，例如便携式设备中的过流和短路保护。
　　3. 电机驱动器中的电子开关。
　　4. 背光 LED 驱动器中的负载开关。
　　5. 各种便携式电子产品中的信号切换功能。
　　6. 工业控制系统中的继电器替代方案。