SSM3J314T 时间：2025/6/21 21:22:11 阅读：4

SSM3J314T 是一款 N 治道垂直扩散型 MOSFET (VDMOS)，由富士通半导体（现为旭化成电子）生产。该器件主要用于高频开关和功率放大等应用，具有低导通电阻和高击穿电压的特点。其封装形式为 TO-252-3L，适合表面贴装技术 (SMT) 的应用场合。
　　SSM3J314T 的设计使其能够高效地用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高性能功率切换的应用场景。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：7A
　　导通电阻：38mΩ
　　栅极电荷：19nC
　　开关时间：ton=16ns, toff=12ns
　　工作结温范围：-55℃至175℃

特性

SSM3J314T 具有以下显著特性：
　　1. 低导通电阻：该器件的典型导通电阻为 38 毫欧姆，这有助于降低功耗并提高效率。
　　2. 高速开关能力：SSM3J314T 提供了非常短的开关时间（开启时间为 16 纳秒，关闭时间为 12 纳秒），从而非常适合高频应用。
　　3. 小型封装：采用 TO-252-3L 封装，节省空间且便于表面贴装。
　　4. 高可靠性：该器件经过严格测试，能够在恶劣环境下保持稳定性能。
　　5. 宽温度范围：工作结温范围从 -55°C 到 +175°C，适用于各种极端环境条件。

应用

SSM3J314T 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS)：用于 DC-DC 转换器中，提供高效的功率转换。
　　2. 电机控制：在无刷直流电机驱动器中用作功率开关。
　　3. 功率放大器：由于其高速开关特性和低导通电阻，适用于音频功率放大器。
　　4. 工业自动化：包括伺服驱动器、机器人控制和其他工业设备中的功率管理。
　　5. 消费电子产品：如笔记本电脑适配器、游戏机电源模块等。