时间：2025/6/11 9:15:11
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SSM3J16FU 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，适用于需要高效能和低功耗的电路设计。其主要应用包括开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等领域。SSM3J16FU 的特点是具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频条件下提供优异的性能表现。
该 MOSFET 具备良好的热特性和电气特性，能够承受较高的电流和电压，同时保持较低的损耗，从而提高整体效率。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：8.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷(Qg)：40nC
输入电容(Ciss)：1070pF
总功耗(Ptot)：36W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +150°C
SSM3J16FU 提供了以下显著特点：
1. 高效低导通电阻（Rds(on)）使得传导损耗降低，从而提高了系统效率。
2. 小巧的 TO-252 封装适合高密度布局设计，节省 PCB 空间。
3. 快速开关能力，适用于高频应用场合。
4. 具有强大的抗浪涌能力和稳定性，确保在严苛环境下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
SSM3J16FU 广泛应用于各种电子设备中，例如：
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
2. 各类 DC-DC 转换器。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 电机驱动和控制模块。
5. 工业自动化设备中的功率转换部分。
6. LED 驱动电路及其他功率管理相关应用。
SSM3J16TNU, SSM3J16TNUH, IRFZ44N
