时间：2025/6/19 5:49:44
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SSM3J120TU是罗姆（ROHM）公司生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-252(DPAK)封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等。这种MOSFET在便携式设备和消费类电子产品中广泛应用。
型号：SSM3J120TU
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源极电压）：20V
Rds(on)（导通电阻）：6.5mΩ（典型值，在Vgs=10V条件下）
Id（连续漏极电流）：8A
Vgs（栅源极电压）：±20V
fQg（栅极电荷）：9nC
Tj（工作结温范围）：-55°C to +175°C
封装：TO-252(DPAK)
SSM3J120TU的主要特点是其超低的导通电阻Rds(on)，这使得它在高效率电源转换应用中表现优异。同时，它的栅极电荷较小，有助于实现快速开关，从而减少开关损耗。
此外，SSM3J120TU能够在较高的温度范围内稳定运行，并且具备出色的热性能，这对于需要长时间工作的应用至关重要。此器件还支持较低的驱动电压，简化了驱动电路设计并降低了整体系统复杂度。
SSM3J120TU广泛应用于各种电源管理领域，包括但不限于以下场景：
1. 降压和升压DC-DC转换器中的开关元件。
2. 负载开关，用于控制电子设备内部不同部分的供电状态。
3. 电池保护电路，防止过充或过放。
4. 小型电机驱动，例如手机振动马达或其他微型电机。
5. 各种便携式设备的电源管理模块，例如笔记本电脑适配器、平板电脑充电电路等。
SSM3K120TUR, SSM3J122TU
