时间：2025/4/29 14:02:59
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SSM3J118TU 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装形式，广泛应用于需要高效开关特性和低导通电阻的电路中。其 LXGF(B) 标识可能代表封装或产品系列的一个变体。
这款功率 MOSFET 主要用于电源管理、电机驱动、负载开关和 DC-DC 转换等应用领域。由于其出色的电气性能和热特性，SSM3J118TU 在高电流和高频应用中表现出色。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：9.6A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：7mΩ
栅极电荷（典型值）：45nC
输入电容（典型值）：1080pF
总功耗：26W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SSM3J118TU 具有较低的导通电阻和栅极电荷，能够显著提高效率并降低开关损耗。
该器件支持快速开关操作，适用于高频应用，并且具备出色的热稳定性。
其 TO-252 封装形式便于表面贴装，适合大规模自动化生产。
此外，该 MOSFET 的漏源击穿电压为 30V，适用于低电压系统。
SSM3J118TU 还具有良好的短路耐受能力，能够在极端条件下提供可靠的保护。
SSM3J118TU 广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
具体应用包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）中的同步整流
- 电池管理系统中的负载开关
- 电机驱动器中的功率级开关
- LED 驱动器和 DC-DC 转换器
- 各种保护电路中的电子保险丝功能
