时间：2025/6/16 11:00:22
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SSM3J113TU是罗姆（ROHM）公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合用于各种高效能的电源管理应用中。其封装形式为TO-252(DPAK)，能够有效提升散热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：70mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：9nC（典型值）
总功耗：18W
工作结温范围：-55℃至+150℃
SSM3J113TU具备低导通电阻的特点，可以显著降低传导损耗，从而提高系统效率。
此外，它还拥有快速的开关特性，非常适合高频开关应用。
该器件的热性能优良，能够在较高温度环境下稳定运行。
其封装设计也考虑了良好的散热需求，便于在实际电路中进行热量管理。
同时，这款MOSFET具有较高的可靠性，符合严格的工业标准要求。
SSM3J113TU广泛应用于直流电机驱动、负载开关、DC/DC转换器、电池保护电路以及便携式电子设备中的功率管理模块。
它特别适合需要低功耗和高效率的应用场景，例如消费类电子产品、通信设备和工业控制领域。
SSM3J114TU, SSM3J115TU
