时间：2025/8/24 19:18:03
阅读：5
SSI2N80A是一种常用的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制及各种高功率电子设备中。该器件采用N沟道结构，具备高电压和高电流承载能力，适用于高频开关应用。SSI2N80A通常采用TO-220或TO-252（DPAK）等封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：800V
连续漏极电流（Id）：2.0A
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V～4V
功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等
SSI2N80A具备优异的开关性能和高耐压能力，适用于中高功率应用。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，可在高温环境下稳定工作。采用先进的平面工艺和高密度芯片设计，使得SSI2N80A在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗。其高dv/dt耐受能力增强了器件在复杂电磁环境中的稳定性。同时，该MOSFET具备良好的短路和过载保护性能，提高了系统的可靠性。
SSI2N80A常用于开关电源（SMPS）、LED驱动电源、逆变器、DC-DC转换器、电机驱动电路、充电器、工业自动化设备及消费类电子产品中的功率开关控制。在LED照明、家电控制和电动车充电系统中也有广泛应用。
IRF840、FQP12N80、STP8NM80、2SK2545、2SK1318
