时间：2025/12/27 7:07:39
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SSI20C90E是一款由Semisouth Laboratories（现为Qorvo的一部分）生产的硅基碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温应用环境设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备优异的热稳定性和电气性能，适用于现代电力电子系统中对功率密度和能效要求较高的场合。SSI20C90E具有零反向恢复电流、低正向压降和快速开关特性，使其在开关电源、逆变器、功率因数校正（PFC）电路以及电动汽车充电系统中表现出色。其封装形式为TO-220，便于散热并适用于工业级安装方式。该器件无需外部缓冲电路即可实现高效运行，有助于简化电路设计并提高系统可靠性。此外，由于碳化硅材料的宽带隙特性，SSI20C90E能够在高达175°C的结温下持续工作，适合在恶劣热环境下长期运行。作为一款无源门控器件，它不依赖于复杂的驱动电路，降低了整体系统的复杂度与成本。该型号广泛应用于新能源发电、工业电机驱动、电信电源及高端消费类电源产品中，是替代传统硅快恢复二极管的理想选择之一。
类型：碳化硅肖特基二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：900V
平均整流电流（IF(AV)）：20A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：180A（半正弦波，单脉冲）
正向电压降（VF）：典型值1.65V @ 20A, 25°C
反向漏电流（IR）：最大50μA @ 900V, 25°C；最大10mA @ 900V, 125°C
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
热阻结到外壳（RθJC）：约1.2°C/W
封装形式：TO-220AC
SSI20C90E的核心优势在于其采用的碳化硅（SiC）半导体材料所带来的卓越电气性能。首先，该器件具有极低的反向恢复电荷（Qrr），几乎为零，这意味着在高频开关过程中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而显著减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性使得SSI20C90E非常适合用于高频率工作的硬开关拓扑结构，如连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）的功率因数校正（PFC）电路中，能够有效提升整个电源系统的转换效率，并允许使用更小体积的磁性元件和滤波电容，进而缩小整体电源尺寸。
其次，该器件拥有较低的正向导通压降（VF），在额定电流20A条件下，典型值仅为1.65V，相较于同类碳化硅二极管处于领先水平。这不仅减少了导通状态下的功耗，也提升了系统的热管理能力。同时，得益于SiC材料的高热导率和宽禁带特性，SSI20C90E可在高达175°C的结温下稳定运行，远高于传统硅二极管的150°C上限，因此特别适用于高温工况下的电力转换设备，例如车载充电机、光伏逆变器和工业电源模块。
另外，该器件具备出色的抗浪涌能力，可承受高达180A的非重复浪涌电流，增强了系统在瞬态过载或启动冲击下的鲁棒性。其TO-220封装设计具备良好的机械强度和散热性能，支持标准PCB安装和散热片固定方式，方便集成到各种功率电路中。此外，SSI20C90E无需要复杂的栅极驱动或保护电路，属于自驱动型器件，进一步简化了系统设计流程并降低了外围元器件数量和总体成本。综合来看，SSI20C90E凭借其高性能、高可靠性和易于集成的特点，已成为现代高效能电力电子系统中的关键组件之一。
SSI20C90E主要应用于各类高效率、高频率的电力电子转换系统中。典型应用场景包括工业级开关电源（SMPS），特别是在大功率服务器电源、通信基站电源和数据中心供电单元中，用于输出整流或辅助电源整流环节，以提升整体能效并降低温升。此外，在功率因数校正（PFC）电路中，该器件常被用作升压二极管，配合控制器实现接近1的功率因数，满足IEC 61000-3-2等国际谐波标准要求。
在可再生能源领域，SSI20C90E广泛用于太阳能光伏逆变器中的直流侧整流与防逆流保护，利用其零反向恢复特性减少开关节点振荡，提高逆变效率。在电动汽车基础设施方面，该器件可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的整流模块，支持高功率密度设计和快速充电需求。
此外，在电机驱动系统如变频空调、伺服驱动器和工业自动化设备中，SSI20C90E可用于续流二极管或钳位保护电路，确保IGBT或MOSFET在关断时的安全操作。其高温耐受能力和长期稳定性也使其适用于石油钻探、轨道交通和航空航天等严苛环境下的电源系统。总之，凡是需要高效、紧凑且可靠的高压整流解决方案的场合，SSI20C90E都是一个极具竞争力的选择。
SSIA20C90E
