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SSH5N90 发布时间 时间:2025/12/29 13:42:18 查看 阅读:13

SSH5N90 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高电压和高电流应用场景设计,具有优异的导通电阻(Rds(on))性能和高可靠性,适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、电池充电系统等应用领域。其封装形式通常为 TO-220 或 D2PAK,适合在多种工业和消费类电子产品中使用。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极-源极击穿电压 Vds:900 V
  漏极电流 Id(最大值):5 A
  栅极-源极电压 Vgs(最大值):±30 V
  导通电阻 Rds(on):典型值 2.2 Ω @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:TO-220 / D2PAK

特性

SSH5N90 具备多项优异的电气和物理特性,确保其在高功率和高压环境中稳定运行。
  首先,其高 Vds(900V)耐压能力使其适用于高电压转换器和电源系统,例如离线电源和 AC-DC 转换器。此外,其最大漏极电流为 5A,能够支持中等功率应用的需求。
  该 MOSFET 的导通电阻 Rds(on) 仅为 2.2Ω,这有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。同时,该器件支持高达 ±30V 的栅极-源极电压,提高了在复杂驱动条件下的可靠性。
  SSH5N90 采用 TO-220 或 D2PAK 封装形式,具备良好的热管理和机械稳定性,适合在高温环境下运行。其宽工作温度范围(-55°C 至 150°C)也增强了其在各种工业环境下的适用性。
  此外,该器件具备出色的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过电压条件下保持稳定,从而提高系统整体的安全性和可靠性。
  综上所述,SSH5N90 凭借其高电压能力、低导通电阻、良好的热性能和高可靠性,是一款适用于多种高功率应用的理想选择。

应用

SSH5N90 MOSFET 主要应用于需要高电压和中等电流处理能力的电路中。常见用途包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,特别是在离线电源设计中。它也适用于电机控制、UPS(不间断电源)、工业自动化设备、电池管理系统以及照明控制电路。由于其具备良好的热管理和高可靠性,该器件在高环境温度条件下也能稳定运行,因此在工业级和消费类电子产品中都有广泛应用。

替代型号

STW5N90, FQP5N90C, IRF840, 2SK2148

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