SSH14N50 时间：2025/9/3 13:55:26 阅读：31

SSH14N50是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电力电子设备中。这款MOSFET具备高耐压和大电流能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器等应用。其封装形式通常为TO-220或TO-263（D2PAK），便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大漏极电流（ID）：14A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.22Ω（当VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55℃~+150℃
　　封装类型：TO-220或TO-263

特性

SSH14N50具有多项优异特性，包括高耐压和大电流能力，能够承受较高的工作电压（最高500V）和较大的漏极电流（14A）。这使其非常适合用于高功率应用场景。
　　其导通电阻较低，典型值为0.22Ω，当栅极驱动电压为10V时，能有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，工作温度范围宽（-55℃~+150℃），适应各种恶劣环境条件。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，能够支持高频操作，减少开关损耗，提升整体性能。封装形式采用TO-220或TO-263，具有良好的散热性能，便于安装在散热片上，确保长时间稳定运行。

应用

SSH14N50常用于多种电力电子设备中，例如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器，用于实现高效的电能转换。其高耐压和大电流能力使其适用于电机驱动和功率放大器设计，确保电机控制系统的稳定运行。
　　此外，该MOSFET也可用于逆变器、UPS（不间断电源）、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其具备良好的开关性能和热稳定性，它在需要高可靠性和高效率的电力电子应用中表现出色。