时间：2025/8/13 17:23:03
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SSH11N90是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率开关和电源管理应用。该器件由东芝（Toshiba）公司生产，设计用于高效能、高频率的功率转换系统。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：11A
漏-源极击穿电压（VDS）：900V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.75Ω（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220、TO-3P等
晶体管配置：单管
SSH11N90具有低导通电阻，这使得它在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统效率。其高击穿电压（900V）使其适用于高电压应用，如开关电源（SMPS）和电机控制。此外，该器件具有良好的热稳定性和耐久性，能够在较高温度下稳定运行。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持从+10V至+20V的驱动电压，这使得它可以兼容多种驱动电路设计。SSH11N90还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频工作环境。
此外，SSH11N90采用了高可靠性的封装技术，具有良好的散热性能，能够有效延长使用寿命。其封装形式如TO-220和TO-3P适合在标准PCB布局中使用，便于安装和散热管理。
SSH11N90广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、照明控制系统、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制模块。由于其高耐压和低导通电阻的特点，它特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换场合。
TK11A90D, 2SK1530, 2SK2141, IRF840
