类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：15A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：40mΩ
　　功率耗散（PD）：83W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

SSG9435J-C 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)）仅为 40mΩ，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件的漏极电流额定值为 15A，能够在高电流条件下稳定运行。此外，漏极-源极击穿电压为 30V，使得该 MOSFET 能够承受较高的电压应力，适用于多种电源管理应用。
　　该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，能够在高温环境下运行。其最大功率耗散为 83W，支持高功率密度设计。栅极-源极电压范围为 ±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，便于与多种控制电路配合使用。
　　此外，SSG9435J-C 具有快速开关能力，能够减少开关损耗，提高系统的动态响应。这使其特别适用于需要高频操作的应用，如 DC-DC 转换器、马达驱动器和负载开关等。

SSG9435J-C 主要应用于电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电池管理系统。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件在这些应用中能够提供高效的能量转换，减少发热并提高系统可靠性。
　　在工业自动化和电机控制领域，SSG9435J-C 可用于驱动直流电机、步进电机和其他负载，其高耐压能力和快速开关特性使其能够承受电机启动和停止时的瞬态电压和电流冲击。
　　此外，该 MOSFET 还可用于负载开关和保护电路，确保系统在过载或短路情况下能够快速断开电源，保护下游设备。其高温耐受能力也使其适用于需要在恶劣环境中运行的工业和汽车电子系统。

IRF9540N, FDPF9435AL, Si9435DY