SSG4920N 时间：2025/6/30 18:33:02 阅读：3

SSG4920N是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度的特点，适用于各种电子设备中的功率转换和负载驱动场景。SSG4920N采用小型化的SOT-23封装形式，有助于节省PCB空间并提高设计灵活性。
　　这款MOSFET在便携式电子产品、电池管理系统、电源适配器以及电信设备中被广泛使用。其出色的性能和可靠性使得它成为工程师在设计高效能功率电路时的优选元件。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±10V
　　连续漏极电流：2.5A
　　导通电阻：0.18Ω
　　总功耗：420mW
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

SSG4920N具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输，减少了功率损耗。
　　2. 快速的开关速度降低了开关损耗，适合高频操作环境。
　　3. 小巧的SOT-23封装便于集成到紧凑型设计中，同时具备良好的散热性能。
　　4. 高电流承载能力支持多种大功率应用场景。
　　5. 宽泛的工作温度范围使它能够适应极端环境下的运行需求。
　　6. 高可靠性和稳定性确保长期使用中的性能一致性。

应用

SSG4920N广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流或负载开关。
　　3. 电池保护电路中的过流保护和充放电控制。
　　4. 电机驱动电路中的开关元件。
　　5. 各类消费类电子产品中的负载切换。
　　6. 电信设备中的信号调节和功率管理模块。