SSG4512CE 时间：2025/7/16 17:42:46 阅读：5

SSG4512CE 是一款由 Sanken（三研）公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源转换应用，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动器以及负载开关等。SSG4512CE 采用 TO-252 封装（也称为 DPAK），具有良好的热性能和紧凑的封装结构，适合在空间受限的电路中使用。该器件在导通电阻（Rds(on)）方面表现优异，能够有效降低导通损耗并提高整体效率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（在 Tc=25°C）
　　功耗（Pd）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤4.5mΩ（在 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

SSG4512CE 具备多项优良特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 的条件下，Rds(on) 的最大值仅为 4.5mΩ，这有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高电源转换效率。其次，该器件的漏源电压为 100V，适合用于中高压电源转换应用。其栅源电压容限为 ±20V，具有较强的栅极驱动稳定性，能够兼容多种栅极驱动电路。
　　该 MOSFET采用 TO-252 封装，具备良好的散热性能，有助于在高电流工作条件下维持较低的结温。其额定连续漏极电流可达 80A，在高负载应用中表现稳定。此外，SSG4512CE 的封装设计便于安装在 PCB 上，并且具备一定的机械强度，适合在工业和汽车电子环境中使用。
　　从热性能角度来看，该器件的功耗额定值为 200W，表明其能够承受较高的功率负载。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，确保在极端环境条件下仍能保持可靠运行。这些特性使得 SSG4512CE 成为一款适用于多种高功率、高效率电源设计的 MOSFET 器件。

应用

SSG4512CE 适用于多种高功率电子系统，尤其是在需要高效能和低导通损耗的场合。常见的应用包括同步整流 DC-DC 转换器、反激式开关电源（Flyback SMPS）、正激式变换器（Forward Converter）、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）中的开关元件。由于其高电流能力和低 Rds(on)，它也广泛用于电源管理模块、工业自动化设备以及新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统。
　　此外，该器件还适合用于汽车电子系统中的功率控制模块，例如车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器以及电动助力转向系统（EPS）中的功率开关。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在严苛的汽车和工业环境中稳定运行。