SSFP32N10是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装形式。它主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高效功率切换的场景中。该器件具有较低的导通电阻和良好的开关特性,能够显著提高系统的效率并减少热损耗。
SSFP32N10适用于高电压应用场合,其额定耐压为100V,适合在工业控制、汽车电子及消费类电子产品中使用。
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):32A
导通电阻(Rds(on)):5mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗(Ptot):140W
结温范围(Tj):-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
SSFP32N10具备以下关键特性:
1. 高电流承载能力,额定漏极电流高达32A,确保了在大功率应用中的稳定性。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以有效降低传导损耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗,并支持高频操作。
4. 良好的热性能,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
5. 高可靠性和坚固的设计,适应恶劣环境下的长时间工作需求。
6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电路设计中。
SSFP32N10广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
3. 各类电机驱动电路中的功率开关。
4. 汽车电子系统中的负载切换与保护功能。
5. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
6. LED照明驱动中的恒流调节模块。
IRFZ44N, STP32NF10L, FDP32N10E