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SSFD6035 发布时间 时间:2025/6/29 10:31:13 查看 阅读:6

SSFD6035是一款高性能的肖特基二极管,主要用于高频开关电路、电源整流以及逆变器等应用。它具有低正向压降和快速恢复时间的特点,能够显著提高电路效率并减少功率损耗。
  该器件采用了先进的半导体工艺制造,确保了其在高温和高电流条件下的稳定性能。SSFD6035适用于各种消费电子、工业控制和通信设备中。

参数

最大正向电流:6A
  最大反向电压:35V
  正向压降:0.45V(典型值,@If=2A)
  反向恢复时间:35ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

SSFD6035的主要特性包括:
  1. 低正向电压降,有助于降低功耗并提升系统效率。
  2. 快速的反向恢复时间,非常适合高频应用。
  3. 高浪涌电流能力,确保在异常条件下也能保持稳定运行。
  4. 宽温度范围操作,适应各种环境需求。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

SSFD6035广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源中的整流和续流二极管。
  2. 逆变器及DC-DC转换器的关键组件。
  3. 电机驱动电路中的保护二极管。
  4. 充电器、适配器等消费类电子产品中的整流元件。
  5. 各种工业自动化设备中的高频电路部分。

替代型号

MBR635U3,
  SR60,
  SS35

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SSFD6035参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥5.72000剪切带(CT)2,500 : ¥2.19942卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)26A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)40 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)48 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3060 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)60W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63