SSF7N60A 时间：2025/8/25 4:33:26 阅读：2

SSF7N60A是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器等高效率应用领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：7A
　　最大漏-源电压（Vds）：600V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

SSF7N60A具有较低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　该MOSFET支持高频率开关操作，适用于高频电源转换器设计。
　　具备良好的热稳定性和较高的可靠性，适合在高温环境下工作。
　　其TO-220封装形式便于安装和散热管理，适用于多种电路板布局。
　　栅极驱动电压范围较宽，支持±20V，提高驱动灵活性。
　　器件具备较高的击穿电压能力，确保在高压应用中的稳定性。

应用

SSF7N60A广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、UPS系统、LED驱动电源以及工业自动化控制系统中。
　　此外，它也适用于消费类电子产品、白色家电以及工业控制设备中的功率管理模块。
　　在太阳能逆变器和电动车充电系统中也有一定的应用潜力。
　　该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。