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SSF6092G1 发布时间 时间:2025/6/17 16:51:54 查看 阅读:3

SSF6092G1 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用 TO-252 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能和低功耗的应用场景。
  SSF6092G1 的设计使其能够在高频工作条件下保持稳定,同时提供出色的电流处理能力。这款 MOSFET 支持逻辑电平驱动,使得其可以直接与微控制器或其他逻辑电路配合使用,简化了系统设计。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  封装:TO-252
  最大漏源电压 Vds:40V
  最大栅源电压 Vgs:±20V
  连续漏极电流 Id:12A
  导通电阻 Rds(on):28mΩ @ Vgs=10V
  总功耗 Ptot:1.2W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  栅极电荷 Qg:17nC

特性

SSF6092G1 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可降低功率损耗并提升效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 逻辑电平驱动兼容性,简化了控制电路设计。
  4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  6. 可靠的电气性能和机械强度,确保长时间使用。

应用

SSF6092G1 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 直流/直流转换器中的同步整流功能。
  3. 电机驱动电路中的开关元件。
  4. 各类负载切换和保护电路。
  5. 汽车电子系统中的电源管理单元。
  6. 工业自动化设备中的信号隔离和放大电路。

替代型号

IRF540N, FQP17N06, STP12NF06

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SSF6092G1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.34000剪切带(CT)3,000 : ¥0.62232卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.7A
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)92 毫欧 @ 2.7A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)641 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.25W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3