SSF6092G1 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用 TO-252 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能和低功耗的应用场景。
SSF6092G1 的设计使其能够在高频工作条件下保持稳定,同时提供出色的电流处理能力。这款 MOSFET 支持逻辑电平驱动,使得其可以直接与微控制器或其他逻辑电路配合使用,简化了系统设计。
类型:N沟道增强型 MOSFET
封装:TO-252
最大漏源电压 Vds:40V
最大栅源电压 Vgs:±20V
连续漏极电流 Id:12A
导通电阻 Rds(on):28mΩ @ Vgs=10V
总功耗 Ptot:1.2W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
栅极电荷 Qg:17nC
SSF6092G1 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可降低功率损耗并提升效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
3. 逻辑电平驱动兼容性,简化了控制电路设计。
4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
6. 可靠的电气性能和机械强度,确保长时间使用。
SSF6092G1 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 直流/直流转换器中的同步整流功能。
3. 电机驱动电路中的开关元件。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 汽车电子系统中的电源管理单元。
6. 工业自动化设备中的信号隔离和放大电路。
IRF540N, FQP17N06, STP12NF06