时间：2025/12/29 14:22:14
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SSD30N10-70D是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关应用。该器件采用了先进的技术，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其设计特别适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和各种工业电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：30A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：约0.07Ω（典型值）
最大功耗（Ptot）：60W
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-220
SSD30N10-70D具备多项优良的电气和热性能，适用于高效率功率转换系统。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET的高电流处理能力使其适用于需要高功率密度的应用。器件采用了先进的平面技术，确保了在高温和高电流条件下的稳定性。其封装形式为TO-220，便于散热并适用于常见的工业电路板布局。SSD30N10-70D还具有良好的抗雪崩能力和高耐久性，能够承受瞬时过载和高电压冲击，从而提高系统的可靠性和寿命。
该MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电动工具、电机驱动器、工业自动化设备以及汽车电子系统。此外，它也可用于电池管理系统、太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统中，以提供高效的功率控制。
IRFZ44N, STP30NF10, FDP30N10, IRLZ44N
