SSD2828QN4R是一款高性能的MOSFET功率器件,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够有效提升系统的效率和可靠性。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,适用于各种需要高效开关和低功耗的应用场景,例如DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、负载开关以及工业控制等。
型号:SSD2828QN4R
类型:N沟道MOSFET
工作电压(Vds):30V
持续漏极电流(Id):150A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.0V~4.0V
最大工作结温(Tj):-55℃~175℃
封装形式:TO-263-3
SSD2828QN4R的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低导通损耗,从而提高系统效率。
2. 高电流承载能力,支持高达150A的持续漏极电流,满足大功率应用需求。
3. 快速开关速度,减少开关损耗并改善动态性能。
4. 优异的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
6. 封装设计紧凑,便于安装和散热,适合多种电路板布局。
SSD2828QN4R适用于以下应用场景:
1. 开关电源(Switching Power Supply)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管或高端开关管。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 电池保护和管理系统中的负载开关或保护元件。
5. 各类工业控制设备中的功率转换与调节模块。
6. LED照明驱动中的功率开关元件。
IRFZ44N
STP160N3LLH5
FDP150AN3