型号：SSC2571FOA
　　制造商：Silicon Storage Technology (SST)
　　存储容量：1 Mbit (128 K × 8)
　　接口类型：SPI (Serial Peripheral Interface)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：8-SOIC, 8-DFN
　　时钟频率：最高支持80 MHz
　　写入耐久性：100,000 次擦写周期
　　数据保持时间：10 年
　　编程方式：页编程（Page Program）
　　擦除方式：扇区擦除（4KB）、块擦除（32KB/64KB）、全片擦除
　　只读模式下的典型电流：8 mA @ 80 MHz
　　待机电流：< 1 μA
　　写保护功能：支持软件和硬件写保护（WP引脚）
　　状态寄存器：支持忙标志位、写使能锁存、块保护位等

SSC2571FOA采用SST独有的SuperFlash技术，这是一种基于CMOS工艺的电荷俘获型非易失性存储技术，具有单元结构简单、可靠性高、抗辐射能力强等优点。与传统浮栅型闪存相比，SuperFlash在编程和擦除过程中所需的电压更低，显著降低了功耗并延长了器件寿命。该技术通过局部隧道氧化层实现精确的电子注入与抽出，使得每个存储单元可以独立进行编程和擦除操作，从而提高了写入效率和整体性能。此外，SuperFlash架构支持字节级寻址和随机访问，允许用户对任意地址的数据进行修改而无需整页重写，极大增强了灵活性。
　　SSC2571FOA具备出色的读写性能，支持高达80MHz的SPI时钟频率，在连续读取模式下可实现接近即时的数据输出响应，适用于需要频繁读取配置信息或固件代码的应用场景。其内置的状态寄存器提供了详细的运行状态反馈，包括“写正在进行”（WIP）标志，帮助主控MCU有效协调读写操作，避免总线冲突。同时，芯片支持多种级别的软件和硬件写保护机制，可通过WP引脚结合状态寄存器中的块保护位实现对特定存储区域的锁定，防止意外写入或篡改，提升系统的安全性与稳定性。
　　该器件还优化了电源管理设计，在主动读取时仅消耗约8mA电流，而在待机或掉电模式下电流低于1μA，非常适合电池供电或低功耗应用。所有指令集均符合JEDEC标准SPI协议规范，兼容主流MCU的SPI控制器，简化了软硬件开发流程。此外，SSC2571FOA通过了严格的工业级认证，具备良好的抗干扰能力和长期稳定性，可在恶劣环境下可靠运行。

SSC2571FOA因其高可靠性、低功耗和小尺寸封装，被广泛应用于多个领域的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、传感器模块和HMI人机界面设备中，用于存储校准参数、运行日志和设备配置信息。在消费类电子产品中，如智能家电、可穿戴设备和无线耳机，它承担固件存储和用户设置保存的功能，得益于其低功耗特性，有助于延长电池续航时间。
　　在网络通信设备中，SSC2571FOA可用于路由器、交换机和光模块中存储启动代码（Boot Code）、MAC地址和其他关键配置数据，确保设备每次上电都能快速加载正确设置。在汽车电子方面，尽管未达到AEC-Q100车规等级，但仍可用于车内信息娱乐系统、车载记录仪等非关键子系统中，提供稳定的非易失性存储支持。
　　此外，在物联网（IoT）终端设备中，例如智能家居节点、远程监控终端和无线传感器网络，SSC2571FOA凭借其SPI接口的易用性和小体积优势，成为连接MCU与外部存储的理想选择。它也常配合ARM Cortex-M系列、ESP32、STM32等主流微控制器使用，作为外部程序存储器扩展，提升系统整体功能密度。其支持的高速读取能力使其适用于XIP（eXecute In Place）应用场景，即直接从闪存中执行代码，减少对RAM的依赖，提高系统响应速度。

SST25VF010B
　　W25Q16JV
　　MX25L1606E
　　EN25F10