类型：NPN 晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　频率响应（fT）：100MHz

SSBC847BLT1H 晶体管具有多个关键特性，使其在多种电子电路中具有广泛的适用性。
　　首先，该晶体管的电流增益（hFE）范围宽广，从110到800不等，这使得它在不同偏置条件下都能保持良好的放大性能，适用于需要高稳定性和可变增益的电路设计。
　　其次，该器件的最大集电极电流为100mA，能够在低功耗条件下实现较高的开关速度，适用于数字电路和脉冲电路中的开关元件。
　　此外，SSBC847BLT1H 的截止频率（fT）为100MHz，这意味着它可以在中高频范围内保持良好的放大特性，适合用于射频（RF）或高速开关应用。
　　其 SOT-23 小型封装不仅节省空间，而且便于自动化装配，适用于现代电子产品中对尺寸和集成度要求较高的场景。
　　另外，该晶体管的功耗较低，最大功耗为300mW，有助于提高电路的整体能效，减少散热需求。
　　最后，SSBC847BLT1H 的工作温度范围为-55°C至150°C，使其在极端环境条件下（如汽车电子、工业控制等）中也能够稳定工作。

SSBC847BLT1H 主要应用于以下几个方面：
　　在数字电路中，该晶体管可用作逻辑开关，控制 LED、继电器、小型电机等负载的导通与关断。由于其高电流增益和快速响应特性，适合用于需要高效能和快速切换的场合。
　　在模拟电路中，SSBC847BLT1H 可作为低频放大器使用，例如音频放大器前级、传感器信号放大等。其宽广的 hFE 范围和良好的线性特性，有助于提升放大电路的稳定性和信噪比。
　　在射频电路中，该晶体管可用于中低频段的信号放大和混频应用，适用于无线通信模块、遥控装置和小型射频发射器。
　　此外，SSBC847BLT1H 还广泛应用于电源管理电路、电池充电控制、电压调节器等场合，因其良好的热稳定性和可靠性，特别适合在汽车电子、消费类电子产品和工业自动化设备中使用。

BC847B, 2N3904, MMBT3904, 2N4401